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학술저널
저자정보
정훈주 (금오공과대학교)
저널정보
한국정보기술학회 한국정보기술학회논문지 한국정보기술학회논문지 제11권 제3호(JKIIT, Vol.11, No.3)
발행연도
2013.3
수록면
19 - 25 (7page)
DOI
10.14801/kiitr.2013.11.3.19

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본 논문에서는 p-채널 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동을 보상할 수 있는 새로운 전압 기입 AMOLED 화소회로를 제안하였다. 제안한 6T2C 화소회로는 5개의 스위칭 박막 트랜지스터, 1개의 OLED 구동 박막 트랜지스터 및 2개의 정전용량으로 구성되어 있다. 제안한 화소회로의 한 프레임은 초기화 구간, 문턱전압 감지 구간, 데이터 기입 구간 및 발광 구간으로 나누어진다. SmartSpice 시뮬레이션 결과, 구동 트랜지스터의 문턱전압이 ±0.25V 변동 시 최대 OLED 전류의 오차율은 1.67%이였고 구동 트랜지스터의 문턱전압이 ±0.50V 변동 시 최대 OLED 전류의 오차율은 3.57%였다. 따라서 제안한 6T2C 화소회로는 구동 트랜지스터의 문턱전압 변동에도 균일한 OLED 전류를 공급함을 확인하였다.
#AMOLED #voltage programming method #p-channel poly-si TFT #threshold voltage variation

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 새로운 전압 기입형 AMOLED 화소회로
Ⅲ. 시뮬레이션 평가
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (14)

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