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이용수
Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
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1997 .11
저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2 Epitaxial Growth에 대한 In-situ Phosphorus Doping 효과
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1998 .12
IN-SITU PHOSPHORUS HEAVY DOPING ON $Si_{1-x}Ge_x$ EPITAXIAL GROWTH WITH HIGH Ge FRACTION BY USING LPCVD
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1997 .11
Metal Epitaxial Layer by MBE
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1992 .01
MBE에 의한 Ge epitaxial layer 성장
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1993 .01
반응성 금속유기화학증착법에 의한 Si(100)기판 위에서 epitaxial $CoSi_2$ layer의 in situ 성장
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1999 .01
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2010 .11
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2016 .10
Threshold Voltage Control through Layer Doping of Double Gate MOSFETs
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2010 .09
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1991 .09
METALLURGICAL ISSUES IN COPPER-BASED METALLIZATION
Fabrication and Characterization of Advanced Materials
1995 .01
저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2막의 Epitaxial Growth
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1997 .11
저압 CVD에 의한 Si0.8 Ge0.2 막의 Epitaxial Growth ( Epitaxial Growth of Si0.8 Ge0.2 Layer by LPCVD )
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
Cr2O3 후막의 암모니아 가스 감지 특성
센서학회지
2004 .01
Quantum Well Layer Growth of below 100 A and Fabrication of Laser Diode Using Liquid Phase Epitaxial Method
OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE
1997 .01
붕산용액에서 형성된 알루미늄 전해콘덴서용 박의 화성피막 조직분석
한국재료학회지
2001 .01
In Situ Boron Doping of Si Epitaxial Layers by Ultrahigh Vacuum Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition
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1996 .01
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