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Cr2O3 thick films were fabricated by screen printing method on alumina substrates and annealed at 700℃, 800℃ and 900℃ in air, respectively. Structural properties examined by XRD and SEM showed (116) dominant Cr2O3 peak and increased grain sizes with the annealing. The resistance of the films decreased with increasing the annealing temperature. Gas sensing characteristics to NH3, CO, C4H10 and NO gases showed sensitivity only to NH3 gas. Cr2O3 thick films annealed at 700℃ had the sensitivity of about 15% for 100 ppm NH3 gas at the working temperature of 300℃. The thick films had good selectivity to the NH3 gas. The response time to NH3 gas was about 10 seconds.
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C. Imawan, / 2000. / Gas-Sensing Characteristics of Modified-MoO3 Films using Ti-Overlayers for NH3 Gas Sensors 64 : 193 ~ 197
G. S. Trivikrama Rao / 1999. / Gas Sensitivity of ZnO Based Thick Film Sensors to NH3 at Room Temperature 55 : 166 ~ 169
G. Sberveglieri / 1995. / Recent Developments in Semiconducting Thin-film Gas Sensors 23 : 103 ~ 109
G. Sberveglieri, / 1995. / A Novel Method for the Preparation of NH3 Sensors Based on ZnO-In Thin Films 25 : 588 ~ 590
L. Chambon / 1997. / Investigation, for NH3 Gas Sensing Application, of the Nb2O5 Semiconducting Oxide in the Presence of Interferent Species such as Oxygen and Humidity 45 :
G. S. Trivikrama Rao / 1999. / Gas Sensitivity of ZnO Based Thick Film Sensors to NH3 at Room Temperature 55 : 166 ~ 169
G. Sberveglieri / 1995. / Recent Developments in Semiconducting Thin-film Gas Sensors 23 : 103 ~ 109
G. Sberveglieri, / 1995. / A Novel Method for the Preparation of NH3 Sensors Based on ZnO-In Thin Films 25 : 588 ~ 590
L. Chambon / 1997. / Investigation, for NH3 Gas Sensing Application, of the Nb2O5 Semiconducting Oxide in the Presence of Interferent Species such as Oxygen and Humidity 45 :
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