Analysis and Growth of GaAs on Si

丁世鎭 ,  成萬永

대한전기학회 학술대회 논문집

1990 .07

基板 / 酸化膜および酸化膜 / ゲ-ト界面の微細構造制御による酸化膜信賴性の向上 ( Oxide Reliablity Controlling Microstructure of Substrate / Oxide and Oxide / Gate Interface )

유상이랑 ,  봉이지 ,  계하민언 외 1명

대한전자공학회 워크샵

1997 .01

EPITAXIAL GROWTH OF $CoSi_2$ ON SILICON OXIDE WHICH WAS CHEMICALLY GROWN ON Si(100).

Kim ,  Ki-Jo ,  Jeon 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

Parametric study of the process parameters on the Si epitaxial growth

Imama Zaidi ,  Dong Guk Ko ,  Ik-Tae Im

대한기계학회 춘추학술대회

2017 .05

Pt/HfSi_xO_y/Silicon 구조의 전기적 특성에 관한 연구

박전웅 ,  염민수 ,  심현상 외 3명

대한전기학회 학술대회 논문집

2002 .11

BaF₂ 結晶體成長技術

金東洲

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

Si 모재 위의 Si_(x)Ge_(1-x) 박막에서 부정합 전위와 임계두께에 관한 연구 ( Study on Misfit Dislocations and Critical Thickness in a Si_(x)Ge_(1-x) Epitaxial Film on a Si Substrate )

신정훈 ,  김재현 ,  엄윤용

대한기계학회 춘추학술대회

2001 .06

A Role of Si-O Bond in Porous Silicon

Min Suk Lee ,  Won Chel Choi ,  Eun Kyu Kim 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

Glass/Al/Al₂O₃/a-Si 구조의 알루미늄유도 결정화에서 산화막 두께 변화가 실리콘 결정립에 미치는 영향

오광환 ,  정혜정 ,  지은옥 외 2명

한국태양에너지학회 학술대회논문집

2010 .04

Si(100)의 얇은 산화막을 통한 Co$Si_{2}$형성에 관한 연구

신영철 ,  전형탁

한국재료학회 학술발표대회

1997 .01

EFFECT OF THE ROUGHNESS OF SUBSTRATE SURFACE ON LOW-TEMPERATURE SILICON EPITAXIAL GROWTH

Kwon ,  Sung-Ku ,  Kim 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

불순물에 의한 CdTe 單結晶의 전기적 특성

박창엽

전기의세계

1971 .03

RECENT ADVANCES IN SILICON EPITAXIAL GROWTH FOR ADVANCED DEVICE STRUCTURES

John Ogawa Bo ,  land

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1989 .01

Improvement in Electrical Stability of poly-Si TFT Employing Vertical a-Si Offsets

Pa ,  k ,  J.W. 외 5명

한국정보디스플레이학회 학술대회

2000 .01