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대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2009년도 추계학술대회 강연 및 논문 초록집
발행연도
2009.11
수록면
3,116 - 3,121 (6page)

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The thermal conductivity of Ge₂Sb₂Te? (GST) film and the thermal boundary resistance (TBR) between the film and the electrode strongly influence the performance of phase change memory. Especially, as the size of the device shrinks to nanoscale, the thermal conductivity of GST film becomes a function of the film thickness and the influence of TBR becomes more significant. In this study, we measured the thermal conductivities of GST (amorphous, FCC, and HEX) and the TiN films usually used for electrode as functions of film thickness, using extended 3ω method. While the thermal conductivity of a-GST was measured to be almost independent of film thickness, the thermal conductivities of FCC-GST and HEX-GST decreased significantly from bulk value with the film thickness less than 100 ㎚. We also measured the TBR between GST and TiN films using samples with multiple thin GST / TiN layers, based on the newly measured thermal conductivity of thin GST and TiN films.
#Phase change memory(상변화메모리) #Film thermal conductivity(박막 열전도도) #Thermal boundary resistance(계면열저항)

목차

Abstract
1. 서론
2. 열전도도 및 TBR 계측 원리
3. 시편 제작
4. 실험 및 결과
5. 결론
참고문헌

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