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이용수
Abstract
1. 서론
2. 소자의 구조 및 동작
3. 시뮬레이션 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
저자소개
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POWER LIGBT의 모델링에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1991 .11
낮은 순방향 전압 강하와 높은 래치-업 특성을 갖는 이중-에미터 구조의 LIGBT에 관한 분석
전기전자학회논문지
2011 .06
높은 전류 구동능력을 갖는 새로운 구조의 LIGBT 전기적 특성 분석
대한전자공학회 학술대회
2016 .11
이중-에미터를 갖는 새로운 LIGBT구조의 전기적 특성 분석
대한전자공학회 학술대회
2010 .11
트랩 주입의 구조적 설계에 따른 LIGBT의 전기적 특성 개선에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1999 .11
p+링과 p 채널 게이트를 갖는 역채널 LIGBT의 전기적인 특성
전기학회논문지 C
2002 .03
향상된 Latch - up 특성을 갖는 트렌치 게이트 SOI LIGBT ( Trench - Gate SOI LIGBT with Improved Latch - up Capability )
전자공학회논문지-A
1995 .01
A New Analytical Modeling for Dynamic Latch-up of LIGBT on the SOI Substrate
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
점진적인 홀의 주입을 통해 스냅백을 억제한 새로운 구조의 SA-LIGBT
전기학회논문지 C
2000 .02
Analysis of Dynamic Latch-up Phenomenon in SOI LIGBT
ICPE(ISPE)논문집
1995 .10
이중 애노드 구조의 SOI LIGBT
대한전기학회 학술대회 논문집
2001 .11
트렌치 게이트를 이용하여 기생 사이리스터 래치-업을 억제한 새로운 수평형 IGBT
대한전기학회 학술대회 논문집
2004 .11
A Study on 4H-SiC LIGBT with Dual Emitter for High Voltage Driver IC
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2020 .08
래치-업 면역과 높은 감내 특성을 가지는 LIGBT 기반 ESD 보호회로에 대한 연구
전기전자재료학회논문지
2014 .01
전류 구동 능력 향상을 위한 Dual-Emitter 구조를 갖는 4H-SiC 기반 LIGBT에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
2020 .08
LIGBT-based ESD Protection Device with High Holding Voltage for 15 V Power IC Applications
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2019 .10
The Analysis of Electrothermal Conductivity Characteristics for SOI(SOS) LIGBT with latch-up
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2004 .01
〈속보논문〉 트랜치 구조를 갖는 단락 애노드 SOI LIGBT
전기학회논문지 C
2002 .05
Latch up 전후의 SOI(SOS) LIGBT 구조에서의 열전도 특성 분석
한국컴퓨터산업교육학회 학술대회
2003 .01
이중 에피층을 가지는 SOI LIGBT의 에피층 두께에 따른 항복전압 특성 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2004 .07
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