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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제5권 제4호
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 129 - 132 (4page)
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The electrothermal characterisics of a high voltage LIGBT(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor) using thin silicon on insulator (SOI) and silicon on sapphire (SOS) such as thermal conductivity and sink is analyzed by MEDICI. The device simulations demonstrate that the thermal conductivity of the buried oxide is an important parameter for modeling of the thermal behavior of SOI devices. In this paper we simulated the thermal conductivity and temperature distribution of a SOI LIGBT with an insulator layer of SiO2 and Al2O3 at before and after latch-up and verified that the SOI LIGBT with the Al2O3 insulator had good thermal conductivity and reliability.
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/ 1986. / Modeling and Fabrication of Subhalf-Micrometer CMOS Transistors ed-33 (1) : 148 ~
/ 1991. / An overview of smart power tech- nology 38 : 1568 ~
/ 1997. / Im- proved understanding of IGBT forward conduction : 48 ~
/ 2001. / A novel EST with trench electrode to immunize snap-back effect and to obtain high blocking voltage 2 (3)
/ 2001. / A study on the Development of SOI Wafer Using Hydrogen Plasma Activation and Application to Fabrication of Power Semiconductor Device
/ 1991. / An overview of smart power tech- nology 38 : 1568 ~
/ 1997. / Im- proved understanding of IGBT forward conduction : 48 ~
/ 2001. / A novel EST with trench electrode to immunize snap-back effect and to obtain high blocking voltage 2 (3)
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