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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제27권 제11호
발행연도
2014.1
수록면
686 - 689 (4page)

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본 논문에서는 래치-업 면역 특성과 높은 감내 특성을 갖는 LIGBT 기반 ESD 보호회로를 제안하였다. 전력 스위칭 소자로 주로 사용되는 LIGBT를 ESD 보호회로로 사용하기 위해 게이트와 이미터 단자를 캐소드 단으로 하고, 콜렉터 단자를 애노드 단으로 연결하여 사용하였다. 또한, 높은 래치-업 면역 특성을 가지기 위해 콜렉터의 N웰에 N+ 플로팅 확산영역을 삽입하여 높은 홀딩 전압을 가지는 것을 확인하였다. 제안된 보호회로는 TLP 측정을 통해 설계 변수별 전기적 특성을 검증하였으며 측정 결과, 설계변수에 따라 트리거 전압과 홀딩 전압을 조절할 수 있으며, 트리거 전압은 D2의 변화에 따라 약 22 V에서 41 V까지 증가하였고, 홀딩 전압은 약 21 V에서 최대 31 V까지 증가하였다. 또한 N+ 플로팅 확산영역을 삽입함으로써, 약 2배의 홀딩 전압 증가를 확인하였다. 따라서 제안된 ESD 보호회로는 높은 홀딩 전압 특성에 의해 높은 래치-업 면역 특성과 감내 특성을 갖는다.
#ESD #LIGBT #Trigger voltage #Holding voltage #Latch-up

목차

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참고문헌 (5)

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A.Z.H. Wang / 2002 / On-chip ESD Protection for Integrated Circuit. An IC Design Perspective / Kluwer Academic Publisher google schola B. Keppens / 2004 / / Proc. of EOS/ESD Symp. 1 google schola M.P.J. Mergens / 2003 / / Microelectronics Reliability 43 : 993 ~ google schola T. Green / 1993 / A Review of EOS/ESD Field Failure in Military Equipment / Proc. of the 7th EOS/ESD Symp. 49 google schola V. Vashchenko / 2004 / / IEEE Trans. Device Mater. Rel. 4 : 273 ~ google schola

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