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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
대한전기학회 Journal of Electrical Engineering & Technology Journal of Electrical Engineering & Technology Vol.1 No.2
발행연도
2006.6
수록면
233 - 236 (4page)

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A 3-D numerical simulation of a buried-channel CCD (Charge Coupled Device) with a deep depletion has been performed to investigate its electrical and physical behaviors. Results are presented for a deep depletion CCD (EEV CCD 12; JET-X CCD) fabricated on a high-resistivity (1.5 ㏀-㎝) 65 ㎛ thick epi-layer, on a 550 ㎛ thick p? substrate, which is optimized for X-ray detection. Accurate predictions of the Potential minimum and barrier height of a CCD Pixel as a function of mobile electrons are found to give good charge transfer. The depletion depth approximation as a function of gate and substrate bias voltage provided average errors of less than 6%, compared with the results estimated from X-ray detection efficiency measurements. The result obtained from the transient simulation of signal charge movement is also presented based on 3-Dimensional analysis.
#charge coupled device #charge transfer #deep depletion #depletion depth #3-D numerical simulation

목차

Abstract
1. Introduction
2. Description of the Device
3. Results and Discussion
4. Conclusion
5. Acknowledgements
References

참고문헌 (8)

참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - / / Focal plane CD imaging X-ray spectrometers for two European missions in the 1990's : 1153 ~ google schola [학술지(정기간행물)] - / / The CCD focal plane imaging detector for JET-X instrument on spectrum R-G : 1546 ~ 57 google schola [학술지(정기간행물)] - / / An experimental study of charge diffusion in the undepleted silicon of X-ray CCDs 50 : 246 ~ google schola [학술지(정기간행물)] - / / Measurement and simulation of X-ray quantum efficiency and energy resolution of large area CCDs between 0.3 and 10keV : 1743 ~ google schola [학술지(정기간행물)] - / 1992. / Three dimensional algorithms for a robust and efficient semiconductor simulator with parameter extraction google schola

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-560-019033116