Ni / AuGe / n-GaAs Ohmic 계의 항온 열처리중 Specific 접촉저항 변화 ( Specific Contact Resistance Change of a Ni / AuGe Ohmic System to n-GaAs during an Isothermal Alloying )

김동구 ,  편광의 ,  윤광준 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

이온주입한 n-GaAs 에 대한 AuGe / Ni 저항성 접촉의 미세구조 연구 ( Microstructural Investigation of AuGe / Ni Ohmic Contact to Ion-Implanted n-GaAs )

이재신 ,  심규환 ,  박철순 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

n-GaAs의 AuGe 이온주입 효과 ( The effect of AuGe ion implantation in n-GaAs )

홍치유 ,  강태원 ,  이연환 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1987 .11

AuGe 액체금속 이온이 주입된 n-GaAs의 물성연구 ( Physical Properties of AuGe Liquid Metal Ion Implanted n-GaAs )

강태원 ,  이정주 ,  김송강 외 3명

전자공학회논문지

1989 .06

N-InGaAs에 대한 AuGe/Ni/Au 오믹접촉의 열적 거동

박성호

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

n-GaAs Ohmic Contact을 위한 최적조건에 관한 연구

윤광준 ,  권영세 ,  이문기 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1986 .12

n-GaAs Ohmic Contact을 위한 최적 조건에 관한 연구 ( A Study on the Optimized Condition of Ohmic Contact for n-GaAs Ill-V Compound Semiconductor )

윤광준 ,  이문기 ,  김봉열 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

N+ - InGaAs에 대한 AuGe / Ni / Au 오믹접촉 특성의 합금화열처리 의존성 ( Alloying Treatment Dependence of AuGe / Ni / Au Ohmic Contact to n+ - InGaAs )

박성호 ,  이태우 ,  박문평 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

GaAs계의 ohmic contact개발을 위한 Si/Co/GaAs계의 계면반응에 대한 연구

곽준섭 ,  백홍구 ,  신동원 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

1993 .01

높은 주파수 동작의 InP-based HEMT를 위한 Cu를 이용한 thin ohmic contact 에 관한 연구

김종욱 ,  노진현 ,  연성진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2009 .07

Pt Deposition for Ohmic Contact on p-GaAs by Electroless Plating

Hung Su Im ,  Young Jun Seo ,  BON Heun Koo 외 2명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2008 .06

GaAs 반도체 공정기술 개발 연구 ( Study on the Development of the Process Technology of GaAs Semiconductor )

권영세

특정연구 결과 발표회 논문집

1987 .01

GaAs 반도체 공정기술 개발 연구 ( A Study on the Development of the Process Technology of GaAs Semiconductor )

권영세

한국통신학회 학술대회논문집

1987 .01

A Study of Alloying Behaviors for Pt Embedded Metal n+GaAs Thin Ohmic Contact

김차연 ,  이원상 ,  권현자 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

액체금속이온원을 이용한 n형 GaAs의 오옴성접촉 ( The Ohmic Contact of n-GaAs Using by Liquid Metal Ion Source )

강태원 ,  이정주 ,  김송강 외 3명

전자공학회논문지

1989 .12

Rapid와 Conventional Alloying 공정에 의한 GaAs Ohmic Contact의 특성 비교연구와 TLM의 새로운 해석 방법의 제안 ( Comparison Study on GaAs Ohmic Contacts Fabricated by Rapid and Conventional Alloying Process and New Analysis Method of TLM Patterns )

이진구

전자공학회논문지

1988 .12

액체금속이온이 주입된 p형 GaAs의 오옴성 접촉 ( Ohmic Contact of p-type GaAs Implanted the Liquid Metal Ion )

김송강 ,  강태원 ,  홍치유 외 5명

전자공학회논문지

1989 .09

Ni/3C-SiC 계면의Ohmic 특성

김인희 ,  정재경 ,  정재경 외 1명

한국재료학회지

1997 .01

GaAs 화합물 반도체결정 성장기술 ( GaAs Compound Semiconductor Crystal Growing Technology )

민석기

대한전자공학회 학술대회

1987 .01

PECVD방법으로 형성한 $W_{67}N_{33}$/GaAs구조의 열적 특성

이세정 ,  홍종성 ,  이창우 외 3명

한국재료학회지

1993 .01