불순물 농도에 따라 산화막 성장률의 차이를 이용한 자기 정렬된 금속 게이트 CMOS 구조 ( A Self-Aligned Metal Gate COMS Structure Utilizing The Oxidation Rate Variation on The Impurity Concentration )

최진호 ,  고요환 ,  김충기

대한전자공학회 학술대회

1988 .01

불순물 농도에 따른 산화막 성장률의 차이를 이용한 새로운 Self-Aligned Metal Gate MOSFET의 제작 ( Fabrication of a New Self-Aligned Metal Gate MOSFET Utilizing the Enhanced Oxidation Rate of heavily Doped Source/Drain Region )

고요환 ,  오춘식 ,  김충기

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

Dynamic characteristics for Double Gate MOSFET

고석웅 ,  정학기

한국정보통신학회논문지

2005 .12

박막 게이트 산화막의 열화에 의해 나타나는 MOSFET의 특성 변화

이재성 ,  이원규

대한전자공학회 학술대회

2003 .07

전력 MOSFET

崔然益

전기의세계

1985 .05

전력 MOSFET용 멀티 게이트 구동 회로 연구

김기현 ,  김형우 ,  이경호 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2017 .07

Effects of Multiple Fins on Self-Aligned Gate-All-Around MOSFETs

Jae Young Song ,  Woo Young Choi ,  Jong Pil Kim 외 3명

ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications

2006 .06

게이트전압에 따른 나노구조 이중게이트 MOSFET의 터널링전류 변화

정학기

한국정보통신학회논문지

2007 .05

초고속 동작을 위한 더블 게이트 MOSFET 특성 분석

정학기 ,  김재홍

한국정보통신학회논문지

2003 .04

비대칭 MOSFET 소자에서 gate oxide의 re-oxidation process의 공정방법 및 효과

김장현 ,  김현우 ,  권민우 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2012 .06

I 형 게이트 내방사선 n-MOSFET 구조 설계 및 특성분석

이민웅 ,  조성익 ,  이남호 외 2명

한국정보통신학회논문지

2016 .10

SAW ( Self - Aligned Selectively Grown W - gate ) MOSFETs 의 제작 및 특성 분석 ( Fabrication and Analysis of SAW ( Self - Aligned Selectively Grown W - gate ) MOSFETs )

황성민 ,  노광명 ,  정명준 외 6명

전자공학회논문지-A

1995 .06

차세대 sub-0.1μm급 MOSFET 소자용 고유전율 게이트 박막

황현상

대한전자공학회 학술대회

2000 .06

나노구조 이중게이트 MOSFET에서 터널링이 단채널효과에 미치는 영향

정학기

한국정보통신학회논문지

2006 .03

P-채널 MOSFET에서 게이트와 기판 전류의 시간에 따른 복원 특성

조상운 ,  장원수 ,  배지철 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2003 .07

전력 MOSFET 소자의 γ선 영향

손주형 ,  김재환 ,  노영환

제어로봇시스템학회 각 지부별 자료집

2004 .11

이중게이트 MOSFET에서 채널도핑농도에 따른 문턱전압이하 특성 분석

정학기

한국정보통신학회논문지

2008 .10

전력 MOSFET

김종오

전기의세계

1988 .05

단채널효과를 극복할 수 있는 새로운 T자 형태의 게이트를 갖는 Grooved Gate MOSFET 소자구조에 관한 연구

孫尙熙 ,  陳泰

전기학회논문지

1997 .11

나노구조 이중게이트 MOSFET에서 전도중심의 파라미터 의존성

정학기

한국정보통신학회논문지

2008 .03