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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김동식 (인하공업전문대학)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-IE 電子工學會論文誌 IE編 第46卷 第3號
발행연도
2009.9
수록면
1 - 5 (5page)

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고전력, 고온에서 사용되는 소자에서 RuO2는 다른 전극 물질에 비해 많은 장점을 가지고 있으며, 특히 GaN를 이용하는 소자의 전극물질로서 매우 우수한 특성을 갖음을 확인할 수 있었다. RuO2을 이용한 GaN 소자의 제작은 새로운 전기화학 금속증착법을 통하여 금속배선을 형성하였으며, 과염소산(HClO4)용액을 수용액 사용하였다. RuO2의 두께는 인가전압과 시간에 의존하며, 두께를 조절함으로서 정류성 및 비정류성 소자의 전극으로의 사용 가능성을 확인할 수 있었다.
#RuO₂ #electrochmical metallization #n-GaN #Schottky diode

목차

요약
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EXPERIMENTAL
Ⅲ. RESULTS & DISCUSSIONS
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES
저자소개

참고문헌 (11)

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1. [학술지(정기간행물)] - R. Sporken / 1992 / / J. Vac. Sci. Technol., B 10 : 1405 ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - L. Krusin-Elbaum / 1988 / / J. Electrochem. Soc 135 : 2610 ~ 2614 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - Q. Chen / 1998 / / IEEE Electron Device Lett 19 : 44 ~ 46 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - J. H. Huang / 2001 / / Thin Solid Films 382 : 139 ~ 145 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - H. Kim / 2001 / / Serface Science Letters 474 : L203 ~ L212 google schola

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