DC 마그네트론 Co-sputtering 시스템을 이용하여 증착한 GAZO 박막의 전기적 및 구조적 특성

Luo Jie; 박세훈; 송풍근

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자료유형: 학술저널

저자정보: Luo Jie 박세훈 송풍근

저널정보: 한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제42권 제3호

발행연도: 2009.6

수록면: 122 - 127 (6page)

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Ga/Al doped ZnO (GAZO) thin films were prepared on non-alkali glass substrate by co-sputtering system using two DC cathodes equipped with AZO (Al2O3:2.0 wt%) target and GZO (Ga₂O₃:6.65 wt%) target. This study examined the influence of Al/Ga concentration and substrate temperature on the electrical, structural and optical properties of GAZO films. The lowest resistivity 1.95×10?3 Ω㎝ was obtained at room temperature. With increasing substrate temperature, resistivity of GAZO film decreased to a minimum value of 7.47×10?4Ω㎝ at below 300℃. Futhermore, when 0.05% H₂ gas was introduced, resistivity of GAZO film decreased to 6.69×10?4Ω㎝. All the films had a preferred orientation along the (002) direction, indicating that the deposited films have hexagonal wurtzite structure formed by the textured growth along the c-axis. The average transmittance of the films was more than 85% in the visible light range.

#Al doped ZnO #Ga doped ZnO #Ga/Al co-doped ZnO #Co-sputtering

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1. [학술지(정기간행물)] - D. H. Kim / 2006 / / Surf. Coat. Technol. 201 : 927 ~

2. [학술지(정기간행물)] - S. H. Cho / 2008 / / J. Phys. Chem. of Solids 69 : 1334 ~

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5. [학술지(정기간행물)] - S. Suzuki / 2003 / / Thin Solid Films 434 : 14 ~

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