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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.4
- 수록면
- 21 - 27 (7page)
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본 연구에서는 고온에서 Schottky barrier SOI nMOS 및 pMOS의 전류-전압 특성을 분석하기 위해서 Er 실리사이드를 갖는 SB-SOI nMOSFET와 Pt 실리사이드를 갖는 SB-SOI pMOSFET를 제작하였다. 게이트 전압에 따른 SB-SOI nMOS 및 pMOS의 주된 전류 전도 메카니즘을 온도에 따른 드레인 전류 측정 결과를 이용하여 설명하였다. 낮은 게이트 전압에서는 온도에 따라 열전자 방출 및 터널링 전류가 증가하므로 드레인 전류가 증가하고 높은 게이트 전압에서는 드리프트 전류가 감소하여 드레인 전류가 감소하였다. 고온에서 ON 전류가 증가하지만 드레인으로부터 채널영역으로의 터널링 전류 증가로 OFF 전류가 더 많이 증가하게 되므로 ON/OFF 전류비는 감소함을 알 수 있었다. 그리고 SOI 소자나 bulk MOSFET 소자에 비해 SB-SOI nMOS 및 pMOS의 온도에 따른 문턱전압 변화는 작았고 subthreshold swing은 증가하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. SB SOI nMOS 및 pMOS 소자 제작
Ⅲ. 측정 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (15)
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1. [학술지(정기간행물)] - G. Tsutsui / 2005 / Impact of SOI thickness fluctuation on threshold voltage variation in ultra-thin body SOI MOSFETs / IEEE Trans. on Nanotech. 4 (3) : 369 ~ 373
2. [학술지(정기간행물)] - A. Xia / 2005 / Scaling of lowered source/drain(LSD)and raised source/drain(RSD)ultra-thin body(UTB)SOI MOSFETs / Solid-State Electron 49 : 479 ~ 483
3. [학술지(정기간행물)] - J. Knoch / 2006 / On the performance of single-gated ultratin-body SOI Schottky-barrier MOSFETs / IEEE Trans. on Electron Devices 53 (7) : 1669 ~ 1674
4. [학술지(정기간행물)] - J. Knoch / 2007 / Physics of ultrathin-body silicon-on-insulator Schottky-barrier field-effect transistors / Applied Physics A87 : 351 ~ 357
5. [학술지(정기간행물)] - S. Xiong / 2005 / A comparison of symmetric ultrathin-body double-gate devices with metal source/drain and doped source/drain / IEEE Trans. on Electron Devices 52 (8) : 1859 ~ 1867
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