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논문 기본 정보

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한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌 第18卷 第8號
발행연도
2007.8
수록면
873 - 879 (7page)

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본 논문에서는 Freescale사의 Si-LDMOSFET 4-W 소자를 이용하여 고효율 class-F 전력 증폭기를 구현하였다. Class-F 전력 증폭기를 구현하는데 있어서 모든 하모닉 성분들에 대해 원하는 임피던스를 갖도록 조정하기는 불가능하기 때문에 2차와 3차 하모닉 성분만을 조율하여 회로의 간결함과 동시에 상대적으로 높은 효율을 얻을 수 있었다. 또한, 본 논문에 설계된 증폭기는 보다 정확하게 하모닉 성분을 조율하기 위해, LDMOSFET의 대신호 등가 모델에서 가장 큰 영향을 미치는 drain-source capacitance(Cds)와 bonding inductance(Lb)를 추출하여 하모닉 조율 회로를 설계하였다. 제작된 고효율 class-F 전력 증폭기의 측정 결과 drain-efficiency(DE) 65.1 %, power-added-efficiency(PAE) 60.3 %의 효율을 얻을 수 있었다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Class-F 전력 증폭기
Ⅲ. Class-F Simulation 및 설계
Ⅳ. 제작 및 측정
Ⅴ. 결론
참고문헌

참고문헌 (9)

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