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한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌 第19卷 第12號
발행연도
2008.12
수록면
1,350 - 1,359 (10page)

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본 논문에서는 0.5 ㎛ p-HEMT 공정을 이용한 MMIC 이중 평형 저항성 혼합기를 개발하였다. 본 혼합기에는 LO, RF, IF 등의 3개의 발룬이 포함된다. 8~20 ㎓ 범위에서 동작하는 LO와 RF 발룬은 Marchand 발룬으로 구현하였다. 칩 크기를 줄이기 위해 구부려진 다중 결합 선로를 이용하였고, 이로 인해 발생하는 모드 위상 속도차이를 보상하기 위해 인덕터 선로를 삽입하였다. IF 발룬은 DC 결합 차동 증폭기로 구현하였다. 0.3×0.5 ㎟ 크기를 가진 IF 발룬의 측정 결과, DC에서 7 ㎓ 주파수 범위에서 크기와 위상의 오차가 각각 1 ㏈와 5° 이내의 결과를 보였다. 개발된 1.7×1.8 ㎟ 크기의 이중 평형 저항성 혼합기의 측정 결과, 동작 주파수 범위에서 16 ㏈m LO 입력 전력에 대해 삽입 손실이 5~11 ㏈이고, 출력 OIP3가 10~15 ㏈m인 결과를 보였다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 혼합기 설계
Ⅲ. 혼합기 제작 및 시험
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (12)

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