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한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제8권 제1호
발행연도
2004.7
수록면
73 - 78 (6page)

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본 논문은 5.8 GHz 무선 랜용 서브 하모닉 저항성 혼합기를 설계하였다. 서브 하모닉 저항성 혼합기는 서브 하모닉 혼합기와 저항성 혼합기의 장점이 합쳐진 구조이다. 서브 하모닉 저항성 혼합기는 LO의 고조파 성분과 RF를 혼합하여 IF주파수를 얻는다. 그래서 기존의 혼합기보다 낮은 LO 주파수를 사용이 가능하다. 그리고 서브 하모닉 저항성 혼합기는 GaAs FET의 unbiased 채널 저항을 사용하여 주파수 혼합하므로 낮은 IMD를 특성을 갖는다. 제작된 서브 하모닉 저항성 혼합기의 변환손실은 LO 신호전력이 13 dBm일 때, 10.67 dB이다. 그리고 혼합기의 IIP3는 21.5 dBm이다.
#GaAs FET #harmonic #IMD #mixer #resistive

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[학술지(정기간행물)] - Stephen A Mass / 1987 / A GaAs MESFET Balanced mixer with very low intermodulation : 895 ~ 898 google schola [학술지(정기간행물)] - Stephen A Mass / APRIL1987 / A GaAs MESFET mixer with very low intermodulation mtt-35 : 425 ~ 429 google schola [학술지(정기간행물)] - F De. Flaviis / feb.1995 / X band doubly balanced resistive fet mixer with very low intermodulation GaAs MESFET mixer with very low intermodulation 43 : 457 ~ 460 google schola [학술지(정기간행물)] - S. A Mass / mar.1987 / Two-tone intermodulation in diode mixer 3 mtt-35 : 307 ~ 314 google schola [학술지(정기간행물)] - A.CAzevedo Dias, / 1999 / High isolation sub harmonic mixer : 378 ~ 381 google schola

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