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논문 기본 정보

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저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 한국전자파학회논문지 제15권 제3호
발행연도
2004.3
수록면
258 - 264 (7page)

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본 논문에서는 40 GHz 대역 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) 이중평형 star 혼합기를 비아 공정이 있는 GaAs substrate(두께 4 mil)상에서 설계 및 제작, 측정하였다. 이중평형 star 혼합기를 구현하기 위해 발룬회로와 다이오드 설계가 필요했다. 발룬회로는 microstrip과 CPS(Coplanar Strip)를 이용하여 새로운 구조를 제안하여, 2GHz대역으로 주파수를 낮추어 새로운 구조의 발룬 성능을 PCB로 제작하여 확인한 바 있다. 이를 바탕으로 40 GHz에서 MMIC 발룬을 설계하였다. 제안된 발룬은 비아 공정이 포함된 MMIC 회로에 적합하며, 이중평형 혼합기 구현에 쉽게 적용 가능하다는 특징이 있다. 다이오드는 p-HEMT를 사용하는 밀리미터파 대역의 다른 MMIC 회로들과의 호환성을 고려하여, p-HEMT 공정을 기반으로 한 쇼트키 다이오드를 설계하였다. 이를 이용 제안한 발룬회로와 다이오드를 조합하여, 이중평형 star 혼합기를 구현하였다. 혼합기의 측정 결과 LO 전력이18 dBm일 때, 변환손실 약 30 dB를 얻었다. 이는 p-HEMT의 AlGaAs/InGaAs 층에 의한 다이오드 때문이며,p-HEMT 구조에서 AlGaAs 층을 식각하여 단일 접합 다이오드를 만들면 혼합기의 성능이 개선될 것으로 예상된다.

목차

요약

Abstract

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 40 GHz 대역 발룬회로

Ⅲ. 쇼트키 다이오드

Ⅳ. MMIC Mixer의 설계 및 측정 결과

Ⅴ. 결론

참고문헌

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