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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編 第45卷 第9號
발행연도
2008.9
수록면
8 - 13 (6page)

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균일하게 도핑된 반도체에서, 분포된 확산 잡음원에 의해서 발생하는 단자잡음전류의 전력주파수밀도를 계산하였다. 고정된 전압에서 반도체의 길이가 작아짐에 따라, 또는 주어진 반도체에서 전류레벨이 증가함에 따라, AC 단락잡음전류는 열잡음 뿐만 아니라 과잉잡음을 보인다. 이 과잉잡음은 채널길이가 외인성 Debye 길이에 비해 매우 작은 경우에는 산탄잡음의 스펙트럼과 같은 모습을 보인다. 유한한 주파수에서 속도요동 잡음원에 의한 외인성 반도체에서 발생하는 과잉잡음을 최초로 유도하였다. 유도된 과잉잡음 공식은 반도체 채널의 통과 시간, 유전 이완 시간, 속도 이완 사이의 상호 작용에 따라 단자잡음 전류와 캐리어 농도 요동이 결정됨을 명시적으로 보여준다. 또한 유도된 해석적 식을 사용하여 여러 가지 반도체 샘플 길이와 바이어스, 주파수에 따른 잡음 스펙트럼의 변화도를 계산하였다. 유도된 공식은 quasi-ballistic 수송현상이 중요한 역할을 하는 나노스케일 MOSFET의 잡음 발생 기제를 이해할 수 있는 기반이 된다.
#Noise #semiconductor devices #excess noise #impedance field method #diffusion noise source

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 시뮬레이션 결과 및 검토
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개

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1. [단행본] - P. R. Gray / 2001 / Analysis and Design of Analog Integrated Circuits / Wiley google schola 2. [학술지(정기간행물)] - R. Landauer / 1993 / / Phys. Rev. B 47 (24) : 16427 ~ 16432 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - G. Gomila / 2000 / / Phys. Rev. B 62 (12) : 8068 ~ 8071 google schola 4. [단행본] - F. Bonani / 2001 / Noise in Semiconductor Devices: Modeling and Simulation / Springer-Verlag google schola 5. [학술지(정기간행물)] - S.-M. Hong / 2004 / vol.5470 / in Proc. of SPIE Noise in Devices and Circuits II 5470 : 16 ~ 27 google schola

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