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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.8 No.3
- 발행연도
- 2008.9
- 수록면
- 239 - 243 (5page)
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In this study, Bi-Sb thin film structure was prepared by thermal evaporation method. The electrical, optical transmission and structural characteristics of the prepared samples were introduced before and after thermal annealing process. At temperature of 500 °C, the absorption of the structure was improved to reach 97% at near-infrared region. As well, the thermal annealing caused to reduce the bulk resistance of the Bi-Sb thin film structure. The mor-phology of Bi-Sb structure was also improved by thermal annealing as characteristic islands of the structure appear clearly in form hexagonal areas distinct from each other. This study is aiming to examine such structures if they are employed as photonic devices such as photodetectors, LED’s and optical switches.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EXPERIMENT
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (10)
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1. [학술지(정기간행물)] - V. Damodara Das / 1981 / Vol.16 / J. Mater. Sci 16 : 3489 ~ 3495
2. [학술지(정기간행물)] - V. Damodara Das / 1981 / No.3 / Vacuum 31 (3) : 133 ~ 136
3. [학술지(정기간행물)] - V. Damodara Das / 1982 / Vol.17 / J. Mater. Sci 17 : 1369 ~
4. [학술지(정기간행물)] - D. De / 1983 / Vol.110 / Thin Solid Films 110 : 193 ~ 204
5. [학술지(정기간행물)] - V. Damodara Das / 1984 / Vol.19 / J. Mater. Sci 19 : 1185 ~ 1190
2. [학술지(정기간행물)] - V. Damodara Das / 1981 / No.3 / Vacuum 31 (3) : 133 ~ 136
3. [학술지(정기간행물)] - V. Damodara Das / 1982 / Vol.17 / J. Mater. Sci 17 : 1369 ~
4. [학술지(정기간행물)] - D. De / 1983 / Vol.110 / Thin Solid Films 110 : 193 ~ 204
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