지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering 한국정밀공학회지 Vol.25 No.9
- 발행연도
- 2008.9
- 수록면
- 32 - 37 (6page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (2)
2008
Gallium Nitride 기판의 Mechanical Polishing시 다이아몬드 입자 크기에 따른 표면 Morphology의 변화
김경준
,
정진석
,
장학진
외 2명
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
2008.09
학술저널
Gallium Nitride 기판의 Mechanical Polishing 시 Diamond Powder의 Size에 따른 표면 Morphology의 변화
김경준
,
장학진
,
신현민
외 1명
대한기계학회 춘추학술대회
2008.06
학술대회자료
- 이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
- 연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
- 이 논문의 연구 히스토리 확인하기
초록· 키워드
오류제보하기
Freestanding hydride vapor phase epitaxy grown GaN(Gallium Nitride) substrates subjected to various polishing methods were characterized for their surface and subsurface conditions. Although CMP(Chemical Mechanical Polishing) is one of the best approaches for reducing scratches and subsurface damages, the removal rate of Ga-polar surface in CMP is insignificant(0.1-0.3㎛/hr) as compared with that of N-polar surface. Therefore, conventional MP(Mechanical Polishing) is commonly used in the GaN substrate fabrication process.
MP of (0001) surface of GaN has been demonstrated using diamond slurries with different abrasive sizes. Diamond abrasives of size ranging from 30㎚ to 100nm were dispersed in ethylene glycol solutions and mineral oil solutions, respectively. Significant change in the surface roughness (R<SUB>a</SUB> 0.15㎚) and scratch-free surface were obtained by diamond slurry of 30㎚ in mean abrasive size dispersed in mineral oil solutions. However, MP process introduced subsurface damages confirmed by TEM (Transmission Electronic Microscope) and PL(Photo-Luminescence) analysis.
MP of (0001) surface of GaN has been demonstrated using diamond slurries with different abrasive sizes. Diamond abrasives of size ranging from 30㎚ to 100nm were dispersed in ethylene glycol solutions and mineral oil solutions, respectively. Significant change in the surface roughness (R<SUB>a</SUB> 0.15㎚) and scratch-free surface were obtained by diamond slurry of 30㎚ in mean abrasive size dispersed in mineral oil solutions. However, MP process introduced subsurface damages confirmed by TEM (Transmission Electronic Microscope) and PL(Photo-Luminescence) analysis.
목차
ABSTRACT
1. 서론
2. 다이아몬드 슬러리에 따른 스크래치특성
3. 가공결함(SSD)에 대한 결과
4. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
Gallium Nitride 기판의 Mechanical Polishing 시 Diamond Powder의 Size에 따른 표면 Morphology의 변화
대한기계학회 춘추학술대회
2008 .06
-
폴리싱 정반용 다이아몬드 펠렛의 성능평가
한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집
2009 .11
-
Contact Area Analysis of Chemical Mechanical Planarization Conditioning Abrasives
한국트라이볼로지학회 학술대회
2008 .11
-
화학기계적 연마기술 연구개발 동향 : 입자 거동과 기판소재를 중심으로
Tribology and Lubricants
2019 .10
-
고전력 GaN-on-diamond 기기의 과열점 근처 열 관리
대한기계학회 춘추학술대회
2019 .11
-
GaN(Gallium Nitride) 기반 전력소자 제작 기술개발 현황
전자공학회지
2015 .01
-
화학기계적연마 공정에서 미소 스크래치 저발생화를 위한 가공기술 연구
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
2002 .08
-
자기연마가공에서 계면활성제의 효과에 관한 연구
한국생산제조학회 학술발표대회 논문집
2014 .09
-
연마액이 6H-SiC의 화학적 기계적 연마에 미치는 영향
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2008 .06
-
Photoluminescence Studies of Mg-Doped Gallium Nitrides
OPTOELECTRONICS & COMMUNICATIONS CONFERENCE
1997 .01
-
슬러리 및 패드 변화에 따른 기계화학적인 연마 특성
전기학회논문지 C
2003 .10
-
희석된 혼합연마 슬러리의 연마특성에 관한 연구
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2013 .05
-
다이아몬드 랩핑 공정에서 가압 위치 따른 사파이어 웨이퍼 표면 응력불균일도 해석
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2011 .06
-
전처리 슬러리의 다이아몬드 분말 크기가 나노 결정 다이아몬드 박막의 핵생성에 미치는 영향
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2016 .05
-
습식자기연마(WMAP)에서 입자의 구속과 가공효과에 관한 연구
대한기계학회 춘추학술대회
2014 .04
-
슬러리 유동이 웨이퍼 연마량에 미치는 영향에 대한 고찰
한국트라이볼로지학회 학술대회
2013 .04
-
다이아몬드 박막의 표면 개질을 통한 연마성능 향상에 대한 실험적 고찰
Tribology and Lubricants
2004 .02
-
CMP 공정에서 나노 연마입자에 의한 박막표면 스크래치 발생 원인 규명에 관한 연구
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2010 .05
-
자성입자연마 가공공구에 따른 연마형상 예측
한국생산제조학회 학술발표대회 논문집
2017 .12
이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
최근 본 자료
댓글(0)
0