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한국통신학회 한국통신학회논문지 한국통신학회논문지 제33권 제1호(무선통신)
발행연도
2008.1
수록면
85 - 90 (6page)

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Emitter degeneration에 의한 X-band SiGe HBT 이중 평형형 상향 주파수 혼합기의 선형성 개선 효과를 비교 하였다. 시뮬레이션을 통해 출력 전력과 변환 이득을 동시에 고려하여 degeneration 저항값을 최적화 시켰으며 이를 0.35 ㎛ Si-BiCMOS 공정을 이용하여 제작하였다. 제작 및 측정 결과, -5 ㏈m의 8.0 ㎓ LO 신호 및 100 ㎒의 IF 신호 입력 시, degeneration 저항이 없는 상향 주파수 혼합기는 15.5 ㏈의 선형 변환 이득과 -13 ㏈m의 RF 출력 전력 및 3.7 ㏈m의 OIP₃를 나타내었고, degeneration 저항을 사용한 상향 주파수 혼합기는 9 ㏈의 선형 변환 이득과 -10 ㏈m의 RF 출력 전력 및 8.7 ㏈m의 OIP₃를 각각 나타내었다.

목차

요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌

참고문헌 (8)

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