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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.6
- 수록면
- 1 - 5 (5page)
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??HVPE법으로 3㎛의 GaN epi를 성장하고 이 위에 DC 마그네트론 Sputter를 이용하여 Ti stripe 패턴 형성하였으며 다시 HVPE를 이용하여 120㎛ ～ 300㎛ 두께의 GaN를 overgrowth하였다. 성장된 GaN는 SEM 측정으로 Ti 패턴한 부분에서 void가 관찰되었고 보다 두꺼운 GaN를 성장시에는 크랙이 void를 따라 발생할 수 있음을 확인하였으며 XRD측정으로 FWHM은?188 arcsec로 측정되었다. 성장전의 GaN epi와의 반치폭을 비교하였을 때 패턴에 사용된 Ti는 overgrowth시 결정성에는 크게?영향을 주지 않는다는 것을 확인하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 논의
Ⅳ. 결론
참고문헌
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