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대한전자공학회 전자공학회논문지-IE 電子工學會論文誌 IE編 第44卷 第3號
발행연도
2007.9
수록면
1 - 5 (5page)

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Si 팁 기술의 장점을 살리면서 팁을 실리사이드화하여 팁표면의 열화학적 내구성을 증가시키고 전계방출 전류밀도를 금속팁에 가깝게 끌어올릴 수 있는 새로운 3극관 형태의 전계방출 팁 구조를 제작하였다. 제작된 소자의 전계방출 특성을 10?? Torr의 초고진공 상태에서 캐소드-애노드 간격을 100㎛로 하여 측정한 결과, turn-on 전압이 약 40V로, 방출전류가 인가 전압 150V에서 약 69㎂로 나타났다.
#Ti-silicide #field emission device #emission current #anode

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 제작
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개

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