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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.12
- 수록면
- 109 - 114 (6page)
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Read 모드에서 소오스에 Vcc를 인가함으로써 Sensing margin이 고전적인 방법에 비하여 3배 정도 개선되었다. 프로그램 셀 정보가 왜곡되는 것을 방지하기 위하여 2단 증폭 방법을 제안하였다. 제안된 방법에 의하여 왜곡은 절반 정도로 개선될 수 있었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. NAND Flash Cell Sensing Margin
Ⅲ. NAND Flash 의 Sensing Noise 개선
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (2)
참고문헌 신청
1. [단행본] - J.D. Lee / 2003 / Degradation of tunnel oxide by FN current stress and its effects on data retention characteristics of 90-nm NAND Flash memory / IRPS : 497 ~ 501
2. [학술지(정기간행물)] - T. Hara / 2006 / A 146mm2 8Gb Multi-Level NAND Flash Memory with 70nm CMOS Technology, / IEEE J. Solid-State Circuits 41 (1) : 161 ~ 169
2. [학술지(정기간행물)] - T. Hara / 2006 / A 146mm2 8Gb Multi-Level NAND Flash Memory with 70nm CMOS Technology, / IEEE J. Solid-State Circuits 41 (1) : 161 ~ 169
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