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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.6 No.3
- 발행연도
- 2006.9
- 수록면
- 136 - 145 (10page)
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Two major processing technologies of GaAs HBT and pHEMT have been released in production at Win Semiconductors corp. to address the strong demands of power amplifiers and switches for both handset and WLAN communications markets. Excellent performance with low processing cost and die shrinkage features is reported from the manufactured MMICs. With the stringent tighter manufacturing quality control WIN has successfully become one of the major pure open foundry house to serve the communication industries. The advancing of both technologies to include E/D-pHEMTs and BiHEMTs likes for multifunctional integration of PA, LNA, switch and logics is also highlighted.
목차
Abstract
Ⅰ. IINTRODUCTION
Ⅱ. MANUFACTURING OF INGAP HBTS FOR WIRELESS PA APPLICATIONS
Ⅲ. MANUFACTURING OF PHEMTS FOR WIRELESS SWITCH APPLICATIONS
Ⅳ. MANUFACTURING QUALITY CONTROL
Ⅴ. RELIABILITY
Ⅵ. DEVELOPMENTS OF MULTIFUNCTIONAL INTEGRATION TECHNOLOGIES
Ⅶ. SUMMARY
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES
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