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본 논문에서는 게이트 길이 0.5㎛의 GaAs PHEMT를 이용하여 5 GHz 대역 무선랜에 사용 가능한 MMIC 2단 전력증폭기를 설계 제작하였다. PHEMT 게이트 폭을 MMIC 전력증폭기에 요구되는 선형성과 PAE(전력부가 효율)을 동시에 충족시키기 위하여 최적화 하였다. 입력 P1㏈ 로부터 3㏈ back-off 전력에서 25㏈c이상의 IMD와 공급전압 3.3V에서 22㏈m 이상의 출력을 얻기 위하여 0.5㎛ x 600㎛ 크기의 구동단 PHEMT와 0.5㎛ x 3000㎛크기의 증폭단 PHEMT를 사용하였다. 2단 MMIC 전력증폭기는 광대역 특성으로 HIPERLAN/2와 IEE802.11a에서 사용할 수 있도록 설계하였다. 제작된 PHEMT MMIC 전력증폭기는 3.3V에서 동작할 때 최대 20.1dB의 선형 이득과 22dBm의 최대 출력전력, 24%의 PAE을 보여주며, 입력과 출력 정합회로를 온 칩으로 설계한 전력증폭기의 칩 크기는 1400x1200㎛² 이다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 전력 증폭기 설계
Ⅲ. 2단 MMIC 전력증폭기 제작 및 측정 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌
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참고문헌 (7)
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U. Lott, “Low DC Power Monolithic Low Noise Amplifier for Wireless Applications at 5GHz,” Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits Symposium, Digest of Papers., pp. 81-84, June 1996.
K.W. Kobayashi, A.K Oki, L.T Tran. and D.C. Streit, “Ultra-Low DC Power GaAs HBT S- and C-band Low Noise Amplifiers for Portable Wireless Applications,” Microwave Theory and Techniques, IEEE Trans. Vol. 43, pp. 3055, Dec. 1995.
M. Soyuer, J.-O. Plouchart, H Ainspan and J. Burghartz, “A 5.8-GHz 1-V Low-Noise Amplifier in SiGe Bipolar Technology,” Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Symposium, 1997, IEEE 8-11 pp. 19-22, June 1997.
S.P. Voinigescuand M.C. Maliepaard, “5.8 GHz and 12.6 GHz Si Bipolar MMICs,” Solid-State Circuits Conference, 1997, Digest of Technical Papers 44th ISSCC, 1997 IEEE International, pp. 372-373, Feb. 1997.
S. Chakraborty, C.-H. Lee, S. Yoo, D. Heo and A. Raghavan, “A GaAs Based High Performance Transceiver Front-End Chipset For 5-6 GHz Wireless Applications,” Radio and Wireless Conference, RAWCON 2001, pp.25-28, Aug. 2001.
K.W. Kobayashi, A.K Oki, L.T Tran. and D.C. Streit, “Ultra-Low DC Power GaAs HBT S- and C-band Low Noise Amplifiers for Portable Wireless Applications,” Microwave Theory and Techniques, IEEE Trans. Vol. 43, pp. 3055, Dec. 1995.
M. Soyuer, J.-O. Plouchart, H Ainspan and J. Burghartz, “A 5.8-GHz 1-V Low-Noise Amplifier in SiGe Bipolar Technology,” Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Symposium, 1997, IEEE 8-11 pp. 19-22, June 1997.
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S. Chakraborty, C.-H. Lee, S. Yoo, D. Heo and A. Raghavan, “A GaAs Based High Performance Transceiver Front-End Chipset For 5-6 GHz Wireless Applications,” Radio and Wireless Conference, RAWCON 2001, pp.25-28, Aug. 2001.
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