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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.11
- 수록면
- 494 - 497 (4page)
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In this paper. Power Amplifier which has 44㎓-Fundamental frequency and 4㎓-Bandwidth was designed. In this design, it is used to 8-finger 0.25㎛ pHEMT model. Two stage Power Amplifier which is A class amplification at one stage and B class amplification using Lange coupler at two stage was designed As result of, Gain is 11.61~12.34㏈ at operation bandwidth [42~46㎓]. Maximum output power is 23㏈m, VSWR is 1.031 at 44㎓. And Stability factor K is more than 1 at all frequency. P1㏈ is 21㏈m, thus Amplifier is operated power by 21㏈m. Linearity index IP3 is 29㏈m, thus Amplifier is guaranteed linearity by 29㏈m-output power. The designed chip is fabricated by the ETRI pHEMT 0.25㎛ process The chip size is 2㎜ × 1.95㎜.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 회로 설계 및 레이아웃
Ⅲ. 시뮬레이션 결과 및 제작
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌
참고문헌 (0)
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