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한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌 第17卷 第9號
발행연도
2006.9
수록면
860 - 865 (6page)

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본 논문에서는 가변형 Bi₂O₃-ZnO-Nb₂O?(BZN) pyrochlore 박막을 이용한 고가변형 inter-digital capacitor를 제안하였다. 가장자리 전계 효과를 이용한 가변성의 향상과 DC 전압의 감소를 위해 inter-digital capacitor의 전극이 박막 내부에 삽입되었다. 2.5D simulator를 이용한 설계 결과, 제안된 구조의 inter-digital capacitor(IDC)가 일반적인 구조의 IDC에 비해 가변성이 10 % 향상되었다. 제안된 IDC는 설계 결과를 바탕으로 실리콘 기판 위에 BZN 박막을 이용하여 제작되었다. BZN 박막은 reactive RF magnetron sputtering 방법을 이용하여 증착되었다. 제작된 inter-digital capacitor는 5.8 ㎓와 18 V의 DC 인가 전압에서 최대 가변율이 50 %였다.
#BZN Thin Film #Tunable Inter-Digital Capacitor

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Inter-Digital Capacitor 설계
Ⅲ. 제작 및 측정
Ⅳ. 결론
참고문헌
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