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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국자기학회 한국자기학회지 한국자기학회지 제10권 제5호
발행연도
2000.10
수록면
232 - 236 (5page)

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Cr을 하지층으로 사용한 CoSm 박막은 고기록밀도 수평 자기기록 매체로 가능성이 커 이에 대한 관심이 집중되고 있다. 본 연구에서는 dc 마그네트론 스퍼터링법으로 제작한 CoSm 박막의 자기적 성질의 Ar 가스 스퍼터링 압력 의존성을 조사하였다. 특히 고기록밀도 자기기록 매체에서 magnetic switching volume V*은 자기기록 매체에 기록된 정보의 열적 안정성, 자화반전 및 잡음을 이해하는데 중요한 자료가 된다. 따라서 본 연구에서는 동일 조건에서 제작한 하지층 Cr 위에 스퍼터링 압력을 달리하여 자성층 CoSm을 성장시켜 switching volume의 스퍼터링 압력 의존성을 규명하도록 하였다. 연구 결과 switching volume은 스퍼터링 압력이 증가할수록 감소하며, 그 크기는 9.0~5.2×10^(-18)㎤ 범위 내에 있었다. Switching volume V*를 이용하여 계산한 switching 단위의 크기는 22㎚ 보다 작으며, 이 크기는 고기록밀도 수평 자기기록 매체의 열적 안정성에 대한 Sharrock 조건을 만족한다.

목차

국문초록

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 실험 방법

Ⅲ. 결과 및 논의

Ⅳ. 결론

참고문헌

Abstract

참고문헌 (0)

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