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이 논문의 연구 히스토리 (3)
1994
자기 저항 헤드의 이중 자기 교환 바이어스를 위한 NiFe / TbCo / Si₃N₄ 박막제조
김영채
,
오장근
,
조순철
한국자기학회지
1994.09
학술저널
NiFe/TbCo/SiO2 박막을 이용한 자기 교환 결합 바이어스된 자기 저항 소자
김영채
,
오장근
,
김성재
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1994.07
학술대회자료
NiFe / TbCo / SiO２ 박막을 이용한 자기 교환 결합 바이어스된 자기 저항 소자 ( Magnetic exchange coupled magnetoresistive elements utilizing NiFe / TbCo / SiO２ films )
김영채
,
오장근
,
김성재
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1994.07
학술대회자료
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NiFe와 TbCo의 계면에서의 자기 교환 결함을 이용하여 자기 저항 소자에 수평 및 수직 바이어스 자장을 제공할 수 있도록 NiFe /TbCo /Si₃N₄ 박막을 제조하였다. Tb의 면적비가 36%이고, 기판 바이어스를 인가하지 않았을 때 100 ~ 180 Oe의 교환 자장을 얻을 수 있었다. NiFe, TbCo, 그리고 보호막으로 사용되는 Si₃N₄ 각층의 두께는 각각 470 Å, 2400 Å, 600 Å이었다. NiFe를 1000 W의 전력과 2.5 mTorr의 아르곤 압력에 제작한 시편에서 1.45 %의 자기 저항 변화율을 얻을 수 있었다. 미세 소자로 제작된 NiFe의 자기 저항 변화율은 1.31 %로 감소하였으며, 감자화 자장의 영향으로 박막이 완전히 포화되지 못한 곡선을 보였다. 150 Oe의 교환 자장을 갖는 박막을 자화용이 방향과 36˚의 각도로 소자를 제작한 결과 약 85 Oe 정도의 자기 저항 응답 곡선의 천이를 보였으며, 소자의 동작점이 응답의 선형 구간으로 이동하였다. 또한 Barkhausen 잡음이 교환 자장에 의한 수평 바이어스에 의하여 제거되었다.
목차
국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 결과 및 검토
Ⅳ. 결론
감사의 글
Ⅴ. 참고문헌
Abstract
참고문헌 (0)
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