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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국자기학회 한국자기학회지 한국자기학회지 제12권 제4호
발행연도
2002.8
수록면
132 - 136 (5page)

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유리기판 위에 이온 빔 증착(ion beam deposition; IBD)법으로 제작한 버퍼층(buffer layer) Si의 두께에 따른 [NiFe/FeMn/NiFe] 3층박막의 결정성과 교환결합세기(exchange bias field; Hex)를 조사하였다. 버퍼층 Si는 NiFe층을 fcc(111)로 매우 우세하게 초기에 결정성장 시켰다. Si/NiFe 위에 증착된 FeMn층은 γ-fcc(111) 구조로 성장함에 따라 안정되고 큰 Hex를 가졌고, 버퍼층 Si 두께가 50 A 이상일 때 FeMn와 상부층 NiFe 사이의 Hex값 의존성은 크게 달랐다. 하부 NiFe/FeMn 이중구조의 Hex는 110 Oe로 거의 일정하였으며, 상부 FeMn/NiFe 이중구조의 Hex는 300 Oe 까지 증가하였다. 버퍼층이 Ta일 경우와 비교해서 Si일 때 Hex와 결정성이 향상되었다.

목차

국문초록

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 실험방법

Ⅲ. 실험결과 및 분석

Ⅳ. 결론

감사의 글

참고문헌

Abstract

참고문헌 (0)

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-428-015145005