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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국자기학회 한국자기학회지 한국자기학회지 제3권 제4호
발행연도
1993.12
수록면
293 - 297 (5page)

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자기 저항 헤드용 자기 교환 결합 NiFe / TbCo /SiO₂ 박막을 RF diode 스퍼터링 방법을 이용하여 제조하고, 그 자기적 특성을 측정하였다. TbCo 박막은 Co 타겟 위에 Tb 조각을 부착한 복합타겟을 사용하였다. 30 %의 Tb 면적을 갖는 타겟으로 제조된 NiFe(400 Å) / TbCo(1500 Å) /SiO₂(500 Å) 시편은 기판 바이어스를 인가하지 않았을 때 25 Oe, 기판 바이어스 -55 V를 인가했을 때 12 Oe의 교환자장을 나타냈다. 기판 바이어스 -55 V 이하에서 유효 수평 보자력은 TbCo 층의 수직 보자력에 거의 비례하였고, 28 %의 Tb 면적비를 갖는 시편에서도 같은 경향을 나타내었다. 그러나, 교환 자장은 기판 바이어스가 인가되지 않은 경우에 4 Oe로, -55 V에서 7 Oe로 각각 감소하였다. 1000 W, Tb 면적비 36 %에서 증착된 시편에서 100 Oe 정도의 교환 자장을 얻었으며, 보자력은 3 Oe로 작았다. 그리고, NiFe의 두께가 두꺼워짐에 따라 교환 자장의 크기가 감소하였다.

목차

국문초록

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 실험방법

Ⅲ. 결과 및 검토

Ⅳ. 결론

감사의 글

참고문헌

Abstract

참고문헌 (0)

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