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The defect chalcopyrite material CuIn₃Se_5 has been identified as playing an essential role in efficient photovoltaic action in CuInSe₂-based devicesm It has been reported to be of n-type conductivity, forming a p-n junction with its p-type counterpart CuInSe₂. Because the most efficient cells consist of the Cu(In,Ga)Se₂ quarternary, knowledge of some physical properties of the Ga-containing defect chalcopyrite Cu(In,Ga)₃Se_5 may help us better understand the junction phenomena in such devices.

목차

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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