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This paper deals with the use of the thick film technology for junction. contact formation. and antireflection coating, using spin-on and screen printing process.
The spin-on dopant is. N-250 Emulsitone emitter spin-on diffusion source. N+ for N+/P junction. The process consists of spinning the dopant on P-type single crystalline silicon. driving the dopant at 900℃ for 60 ain. in N2/02 atmosphere.
After etching oxide of wafer in HF solution, a silver paste is screen-printed on the front side and a modified silver paste (a few percent Al powder is added) on the back side. followed by annealing at 650℃ for 5 min. in N2 atmosphere.
Titanium dioxide antireflection coating is deposited on a silicon wafer using an organo-titanium solution by the spinning technique.
Silicon solar cells AR-coated by this technique show os much as 31 % improvement in conversion efficiency over the uncoated cell.
In addition. the another advantage of the process lies in the fact that it is simple, well-suited for automated mass production and low-cost process of photovoltaic cells.

목차

ABSTRACT

1. 서론

2. 본론

3. 결론

참고문헌

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