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한국태양에너지학회 한국태양에너지학회 논문집 태양에너지 제20권 제1호
발행연도
2000.3
수록면
11 - 20 (10page)

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To get more insight into the buffering effects of the p- μ c-Si:H inserted at the p-a-SiC:H/i-a-Si:H interface, we present a systematic numerical simulation using Gummel-Scharfetter method. The reduced recombination loss at the p/i interface due to a constant bandgap buffer is analysed in terms of the variation of the p/i interface region with a short lifetime and the characterisitics of the buffer such as mobility bandgap, acceptor concentration, and D-state density. The numerical modeling on the constant bandgap buffer demonstrates clearly that the buffering effects of the thin p- μ c-Si:H originate from the shrinkage of highly defective region with a short lifetime in the vicinity of the pi interface.

목차

Abstract

1. 서론

2. 이론적 모델

3. 수치해석 결과

4. 결론

참고문헌

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