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한국태양에너지학회 한국태양에너지학회 학술대회논문집 한국태양에너지학회 90 추계태양에너지학술발표회초록집
발행연도
1990.10
수록면
46 - 51 (6page)

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SiC/(n)Si solar cells were fabricated by PVD method, substrate temperature being kept about 200±5℃, and their properties were investigated. Its optimal thickness was 1.2(㎛). The cell characteristics were improved by annealing but were deteriorated at annealing temperature above 420℃ and its time over 12 min. The optimal cell exhibited a short circuit current of 50(㎃/㎠), an open circuit voltage of 366(㎷) and a fill factor of 0.64 with the power conversion efficiency of 11.7(%) under actual solar illumination of 100 (㎽/㎠).

목차

1. 요약

2. 내용

3. 결과 및 논의

4. 결론

5. 참고문헌

참고문헌 (0)

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