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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- Korean Institute of Information Scientists and Engineers Journal of Electrical Engineering and Information Science Journal of Electrical Engineering and Information Science Vol.4 No.2
- 발행연도
- 1999.4
- 수록면
- 244 - 248 (5page)
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The reason for the errors generated when we use the simple MESFET-like small-signal equivalent circuit for the characterization of MOSFETs is explained. It is shown that the errors are generated since we regard a MOSFET as a 3-terminal device and ignore the existence of the substrate resistance in the equivalent circuit. By analyzing the admittance of the portion including the substrate resistance in a complete small-signal equivalent circuit of MOSFETs, the frequency dependence of the model elements in the MESFET-like equivalent circuit is predicted. Also by comparing the measured S parameters with the simulated ones using a SPICE-based circuit simulator with different substrate-resistance values, the validity of the analysis is supported.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Analysis
Ⅲ. Experiments and Results
Ⅳ. Summary
References
저자소개
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