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Pujarini Ghosh (University of Delhi) Subhasis Haldar (University of Delhi) R. S. Gupta (Maharaja Agrasen Institute of Technology) Mridula Gupta (University of Delhi)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.12 No.4
발행연도
2012.12
수록면
377 - 387 (11page)

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An intrinsic small signal equivalent circuit model of Cylindrical/Surrounded gate MOSFET is proposed. Admittance parameters of the device are extracted from circuit analysis and intrinsic circuit elements are presented in terms of real and imaginary parts of the admittance parameters. S parameters are then evaluated and justified with the simulated data extracted from 3D device simulation.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. ANALYTICAL MODELING
Ⅲ. GAINS
Ⅳ. VERIFICATION WITH SIMULATED RESULTS AND DISCUSSION
Ⅴ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2014-569-000667757