지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2003.11
- 수록면
- 67 - 72 (6page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
Numerical calculation has been performed to investigate the effect of inlet configuration on the
growth rate of GaN layer on the heated susceptor. The conventional single inlet, where the gas is
mixed by force in the inlet, is compared with separated flow inlet. Two-parallel gas flow H2 and
NH3
are separated by a plate with finite length which are also parallel to the susceptor. The effect
of separated plate length, carrier gas and flow rate of each precursor on the mixing of reactant
gases and growth rate were investigated. Furthermore the three dimensional model is employed to
predict the transverse variation of growth rate.
growth rate of GaN layer on the heated susceptor. The conventional single inlet, where the gas is
mixed by force in the inlet, is compared with separated flow inlet. Two-parallel gas flow H2 and
NH3
are separated by a plate with finite length which are also parallel to the susceptor. The effect
of separated plate length, carrier gas and flow rate of each precursor on the mixing of reactant
gases and growth rate were investigated. Furthermore the three dimensional model is employed to
predict the transverse variation of growth rate.
목차
1.서론
2.수치해석
3.해석결과 및 고찰
4.결론
참고문헌
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
고품질 질화물 반도체 박막 성장을 위한 반응로 구조 및 열적 조건에 관한 연구
대한기계학회 춘추학술대회
2004 .10
-
GaN 에피층 성장을 위한 MOCVD 반응로의 가스 유동에 관한 수치해석 ( Numerical Analysis on the Gas Flows in MOCVD Reactor for the Growth of GaN Epitaxy )
대한기계학회 춘추학술대회
2001 .01
-
고품질 질화물 반도체 박막 성장을 위한 반응로 구조 및 열적 조건에 관한 연구
대한기계학회 논문집 B권
2004 .12
-
MOCVD를 이용한 GaN 기판 상 GaN 성장층의 특성
한국재료학회 학술발표대회
2008 .01
-
실내유동패턴에 따른 급기구별 기여도 평가에 관한 연구
대한설비공학회 학술발표대회논문집
2009 .11
-
Growth and Characteristics of Single Crystalline GaN By MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
-
Effect of Flow Inlet or Outlet Direction on Air-Water Two-Phase Distribution in a Parallel Flow Heat Exchanger Header
International Journal of Air-Conditioning and Refrigeration
2008 .06
-
Effects of Growth Conditions of GaN Buffer Layer on the Properties of GaN Epilayer Grown by MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
-
Growth and characterization using an GaN Buffer Layer by Low Pressure MOCVD
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
-
Flush 흡입관 설계를 위한 매개변수 연구
한국전산유체공학회 학술대회논문집
2004 .03
-
PIV를 이용한 연소기의 가시화 및 성능해석
한국동력기계공학회 학술대회 논문집
2009 .11
-
프로펠러 팬 설계를 위한 입구경계 유동장의 결정
대한설비공학회 학술발표대회논문집
1996 .07
-
A Numerical Analysis on Three-Dimensional Flow Field in a Supersonic Bump-Type Inlet
Journal of Mechanical Science and Technology
2007 .02
-
Characteristics of Be doped GaN growth using single GaN precursor
한국재료학회 학술발표대회
2005 .01
-
Effect of Inlet Direction on the Refrigerant Distribution in an Aluminum Flat-Tube Heat Exchanger
International Journal of Air-Conditioning and Refrigeration
2008 .12
-
유입 방향에 따른 알루미늄 평행류 열교환기 헤더내 공기-물 2 상류 분지 실험
대한기계학회 춘추학술대회
2007 .05
-
A Study on the Effect of Inlet Boundary Condition on Flow Characteristics of a Supersonic Turbine
International Journal of Aeronautical and Space Sciences
2005 .05
-
Effects of gas flow rate and inlet loading concentration on the biofiltration of toluene vapors
한국생물공학회 학술대회
2008 .04
-
AERODYNAMIC DESIGN OF A BUMP-TYPE INLET
한국전산유체공학회 학술대회논문집
2008 .10
-
회전하는 임펠러를 포함한 스크롤 케이싱 내부 유동장의 전산 해석
한국전산유체공학회 학술대회논문집
2004 .10
이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-550-014216842