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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE JOUNAL OF SEMICONDUCTOR THCHNOLOGY AND SCIENCE Vol.4 No.2
- 발행연도
- 2004.6
- 수록면
- 124 - 127 (4page)
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W/n-GaN Schottky diodes were irradiated with 6UCO y-rays to doses up to 315Mrad. The barrier height obtained from current-voltage (1- V) measurements showed minimal change from its estimated initial value of -O.4eV over this dose range, though both forward and reverse I-V characteristics show evidence of defect center introduction at doses as low as 150 Mrad. Post irradiation annealing at 500°C increased the reverse leakage current, suggesting migration and complexing of defects. The W/GaN interface is stable to high dose of y-rays, but Au/Ti overlayers employed for reducing contact sheet resistance suffer from adhesion problems at the highest doses.
목차
ABSTRACT
1.INTRODUCTION
2.EXPERIMENTAL
3.RESULTS AND DISCUSSION
4.SUMMARY AND CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGEMENTS
REFERENCES
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