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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제40권 제12호
발행연도
2003.12
수록면
10 - 16 (7page)

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에어브리지의 기생 커패시턴스의 영향을 분석하기 위해 CPW PHEMT의 기존 cold-FET 회로모델에 게이트-에어브리지의 기생 커패시턴스(Cag)와 드레인-에어브리지의 기생 커패시턴스(Cad)를 더해주었다. 또한 제안된 모델을 사용하여 소자의 parameter들을 추출하여, 그 존재를 확인하였다. 본 논문에서는 에어브리지에 의해 생성되는 기생 커패시턴스의 영향을 연구하기 위해 에어브리지의 여러 연결방법을 CPW PHEMT 제작에 접목시켰다. 또한 핀치오프상태의 cold-FET에 대한 개선된 등가회로 모델을 제시하여 에어브리지에 의한 기생 커패시턴스가 소자 특성에 어떤 영향을 주는 가를 분석하였다. 제작된 CPW PHEMT의 측정 결과로부터, 기생 커패시턴스 Cag와 Cad가 소자의 S21 이득을 감소시키는 중요한 요소임을 확인하였다.

목차

요 약

Abstract

Ⅰ. 서 론

Ⅱ. CPW PHEMT에서 에어브리지 연결에 대한 변형된 cold-FET 등가회로 모델

Ⅲ. CPW PHEMT의 제작 및 분석

Ⅳ. 결 론

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