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대한전자공학회 전자공학회논문지-TC 전자공학회논문지 TC편 제42권 제7호
발행연도
2005.7
수록면
57 - 62 (6page)

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본 논문에서는 마이크로파 SPDT 스위치를 GaAs pHEMT 공정을 이용하여 설계 및 제작하였다. 광대역 스위치 설계를 위하여 CPW로 구현한 임피던스 변환회로를 삽입하여 온-저항과 오프-커패시턴스를 줄임으로서 낮은 삽입손실과 높은 격리도를 갖는 구조를 구현하였다. 변환회로를 구성하는 전송선로의 소자 개수와 병렬로 삽입되는 FET의 개수는 시물레이션을 통해 최적의 값으로 설계하였다. 설계된 스위치의 측정 결과 53~61 GHz 대역에서 2.6 dB 이하의 삽입손실과 24 dB 이상의 격리도를 얻었다.

목차

요약

Abstract

Ⅰ. 서론

Ⅱ. MMIC 공정 및 소자 모델링

Ⅲ. 광대역 마이크로파 스위치 설계

Ⅳ. 측정

Ⅴ. 결론

참고문헌

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참고문헌 (9)

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