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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제38권 제11호
발행연도
2001.11
수록면
57 - 63 (7page)

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새로운 저전력 전하 재활용 롬(charge recycling ROM) 구조를 제안하였다. 전하 재활용 롬은 전력 소모를 줄이기 위하여 전체 롬에서의 소모전력의 약90%를 소모하는 비트라인(bit line)에 전하 재활용 방식을 사용한 롬이다. 제안된 방식을 사용하였을 경우, 비트라인의 수가 무한이 많고 감지 증폭기(sense amplifier)가 무한히 미세한 전압차를 감지할 수 있다면, 롬의 비트라인은 전력을 거의 소모하지 않는다. 그러나, 실제 존재하는 감지 증폭기는 매우 작은 전압차를 감지할 수 없기 때문에, 롬에서의 전력 감소량은 제한 된다. 모의 실험 결과는 전하 재활용 롬이 기존의 저 전력 콘택트 프로그래밍 롬(contact programming ROM)의 13% ～ 78% 전력만을 소모함을 보여준다.

목차

1. 서론

2. 전하 재활용 롬 구조

3. 모의 실험 결과

4. 결론

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