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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제40권 제6호
발행연도
2003.6
수록면
64 - 68 (5page)

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본 논문에서는 몸체효과와 문턱전압 손실이 제거된 새로운 2-단계 2-위상 VPP 전하펌프 발생기를 제안하였다. 새롭게 제안된 회로의 동작을 검증하기 위하여 0.18um Triple-Well CMOS 공정을 사용하였으며, VPP의 전압 레벨은 VDD가 문턱전압 이상일 때 3VDD가 공급되는 결과를 얻었다.

목차

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 회로 설계

Ⅲ. 실험 결과

Ⅳ. 결론

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