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원통형 접합경계를 갖는 punchthrough 다이오드의 항복전압에 대한 해석적 계산
대한전기학회 학술대회 논문집
1994 .07
원통형 접합 펀치쓰루 다이오드의 항복전압에 대한 해석적 모델링
전기학회논문지
1996 .05
채널의 길이가 짧은 NMOS 트랜지스터의 Threshold 전압과 Punchthrough 전압의 감소에 관한 실험적 연구 ( An Experimental Study on the Threshold Voltage and Punchthrough Voltage Reduction in Short-Channel NMOS Transistors )
전자공학회지
1983 .03
DD NMOSFET에서의 punchthrough 특성에 관한 연구 ( The punchthrough characteristics of DD NMOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1986 .01
DD NMOSFET에서의 punchthrough 특성에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1986 .12
펀치드루 다이오드의 평면형 항복전압에 대한 해석적인 모형
전기학회논문지
1996 .07
자기정렬 DMOS 트랜지스터의 채널 길이와 채널 Punchthrough에 관한 고찰 ( A Study on the Channel Length and the Channel Punchthrough of Self-Aligned DMOS Transistor )
전자공학회논문지
1988 .11
온도를 고려한 GaAs p+n 접합의 해석적 항복 전압
전기학회논문지 C
1999 .04
원통형 및 구형 p-n 접합의 항복전압에 대한 불순물 농도비의 영향
대한전자공학회 학술대회
1992 .06
원통형 및 구형 p-n 접합의 항복전압에 대한 불순물 농도비의 영향 ( Effects of the Impurity Concentration Ratio on the Breakdown Voltage of the Cylindrical and Spherical p-n Junction )
대한전자공학회 학술대회
1992 .07
〈 100 〉〈 110 〉 및 〈 111 〉 방향의 GaAs 평면형 p + n 접합과 원통형 p + n 접합의 항복전압에 대한 해석적 표현 ( Analytical Expressions for Breakdown Voltage of GaAs Parallel-Plane p + n Junction and Cylindrical p + n Junction in 〈 100 〉〈 110 〉 and 〈 111 〉 Orientations )
대한전자공학회 세미나
1996 .01
Punchthrough 를 이용한 n+ Pn Photodiode 의 특성 분석 ( Design of a Punch-Through Mode Photodiode for IT-CCD Type Image Sensor )
대한전자공학회 학술대회
1989 .01
구형 PN 접합의 항복전압에 대한 소고
대한전기학회 학술대회 논문집
2008 .10
Ground Plane SOI MOSFET의 단채널 현상 개선
전자공학회논문지-SD
2004 .04
전력용 반도체 소자의 설계 제작에 있어서 Fixed oxide charge가 p+/n 접합의 항복전압에 미치는 영향
대한전기학회 학술대회 논문집
1988 .11
전력 반도체 p+n 접합의 해석적 항복전압
전자공학회논문지-SD
2005 .10
ANALYSIS OF THE BREAKDOWN VOLTAGES OF 6H-SILICON CARBIDE PARALLEL-PLANE P^+ N JUNCTION AND CYLINDRICAL p^+ N JUNCTION
ICPE(ISPE)논문집
1995 .10
원통형 PN접합의 항복전압의 농도에 대한 민감도
대한전기학회 학술대회 논문집
2006 .10
Ⅲ-Ⅴ족 반도체에서 계단형 pn 접합의 해석적 항복전압 모델
전자공학회논문지-SD
2004 .09
LDD 공정 조건에 따른 펀치쓰루 및 핫 캐리어 효과에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1998 .07
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