PtSi-nSi 쇼트키 다이오드에서 이온 주입이 장벽높이의 변화에 미치는 영향 ( The Effect of Ion Implementation on the Barrier Height in PtSi-nSi Schottky Diode )

이용재; 이문기; 김봉렬

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이용재 이문기 김봉렬

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제23권 5호

발행연도: 1986.9

수록면: 712 - 718 (7page)

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