1GDRAM용 BaxSr1-xTiO3 고유전 커패시터의 전기적 특성 평가 및 신뢰도 분석 ( Electrical Characterization and Reliability Test of BaxSr1I-x TiO3 High Dielectric Thin film Capacitor for 1GDRAM )

곽동화 ,  장병탁 ,  이원재 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

Novel Robust Structure and High k Dielectric Material for 90 ㎚ DRAM Capacitor

Y.K. Pa ,  k ,  Y.S. Ahn 외 4명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2003 .06

THE EFFECTS OF PRE-TREATMENT ON $Ta_2O_5$ DIELECTRICS FOR A DRAM CAPACITOR

Nam ,  K.J. ,  Hyung 외 6명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

DRAM용 (Ba_0.7Sr_0.3)TiO₃ 박막의 전기적 특성

金庚德 ,  鄭長鎬 ,  裵善基 외 1명

전기학회논문지

1998 .10

MOCVD 법에 의한 BaxSr1-xTiO3 박막의 물리적 , 전기적 특성에 관한 연구 ( Physical and Electrical Properties of BaxSr1-xTiO3 Thin Films Prepared by Metalorganic Chemical Vapor Deposition )

노재성 ,  민병운 ,  박헌열 외 2명

대한전자공학회 워크샵

1996 .01

Giga-Bit급 DRAM을 위한 고유전 ( Ba , Sr ) TiO3 박막 커패시티의 유전완화 특성에 대한 회로 모델 ( A Circuit Model of the Dielectric Relaxation of the High Dielectric ( Ba , Sr ) TiO3 Thin Film Capacitor for Giga-Bit Scale DRAMs )

장병탁 ,  차선용 ,  이희철

전자공학회논문지-SD

2000 .04

캐패시터용 (Ba_1-xSr_x)TiO₃ 박막의 제조 및 특성

蘇秉文 ,  宋敏種 ,  李愚春

전기학회논문지 P

2000 .04

DRAM 특집을 내면서

진대제

전기의세계

1989 .04

THE EFFECT OF DIELECTRIC RELAXATION ON DRAM OPERATION

Jang ,  Byung-Tak ,  Cha 외 5명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

256Mbit 및 그 이후 세대 DRAM을 위한 소자분리 및 Capacitor 기술 ( Isolation and Capacitor Technologies for 256M Bit DRAMs and Beyond )

강호규

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

고집적 DRAM Cell 에 대한 연구 ( The Study of High Density DRAM Cell Structure )

김달수

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

고밀도 DRAM Cell의 새로운 구조에 관한 연구 ( A Study on New High Density DRAM Cell )

이천희

전자공학회논문지

1989 .06

Ir Thin Film as a Bottom Electrode for High Dielectric ( Ba , Sr ) TiO3 Capacitor

차선용 ,  장병탁 ,  곽동화 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

256M DRAM 급 이상의 Capacitor 유전체용 PLT 박막의 제조 및 특성평가

이승석 ,  김호기

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

Technology Trend in DRAM Cells

Dae Je Chin

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

256Mbit DRAM용 Capacitor Technology

안성태

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

ロジックとの混載に適した反轉スタックキャパシタ ( RSTC ) DRAMセル構造の提案 ( A Reserved-Stacked-Capacitor ( RSTC ) DRAM Cell Suitable for Embedded DRAM`s )

좌석목신부 ,  중촌준이 ,  굴강박 외 3명

대한전자공학회 워크샵

1996 .01

256K DRAM의 신뢰성

한국전자산업진흥회

전자진흥

1985 .01