THE EFFECTS OF PRE-TREATMENT ON $Ta_2O_5$ DIELECTRICS FOR A DRAM CAPACITOR

Nam ,  K.J. ,  Hyung 외 6명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

DRAM 특집을 내면서

진대제

전기의세계

1989 .04

THE EFFECT OF DIELECTRIC RELAXATION ON DRAM OPERATION

Jang ,  Byung-Tak ,  Cha 외 5명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

256Mbit 및 그 이후 세대 DRAM을 위한 소자분리 및 Capacitor 기술 ( Isolation and Capacitor Technologies for 256M Bit DRAMs and Beyond )

강호규

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

256M DRAM 급 이상의 Capacitor 유전체용 PLT 박막의 제조 및 특성평가

이승석 ,  김호기

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

256Mbit DRAM용 Capacitor Technology

안성태

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

256K DRAM의 신뢰성

한국전자산업진흥회

전자진흥

1985 .01

DRAM의 한계

박영준

전기의세계

1989 .04

ECC를 적용한 DRAM의 초기화 시간 최소화 방법

노종성 ,  김종태

대한전기학회 학술대회 논문집

2006 .10

고집적 DRAM을 위한 새로운 셀 커패시터 ( A Novel Coated Fin Capacitor ( CFC ) for High Density DRAMs )

김영필 ,  조용수 ,  이권재 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

고집적 DRAM Cell 에 대한 연구 ( The Study of High Density DRAM Cell Structure )

김달수

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

ULSI DRAM의 Capacitor 절연막용 BST 박막의 제작과 특성에 관한 연구 ( Preparation and Properties of BST Thin Films for the Capacitor Dielectrics of ULSI DRAM's )

류정선 ,  강성준 ,  윤영섭

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

ULSI DRAM의 Capacitor 절연막용 BST 박막의 제작과 특성에 관한 연구

류정선 ,  강성준 ,  윤영섭

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

ULSI DRAM의 Capacitor Dielectric을 위한 Paraelectric PLT 박막의 제작과 특성 ( Preparation and properties of Paraelectric PLT Thin Films for the Capacitor Dielectrics of ULSI DRAM )

강성준 ,  윤영섭

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

ロジックとの混載に適した反轉スタックキャパシタ ( RSTC ) DRAMセル構造の提案 ( A Reserved-Stacked-Capacitor ( RSTC ) DRAM Cell Suitable for Embedded DRAM`s )

좌석목신부 ,  중촌준이 ,  굴강박 외 3명

대한전자공학회 워크샵

1996 .01

ULSI DRAM의 Capacitor Dielectric 을 위한 Paraelectric PLT 박막의 제작과 특성

강성준 ,  윤영섭

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

고밀도 DRAM Cell의 새로운 구조에 관한 연구 ( A Study on New High Density DRAM Cell )

이천희

전자공학회논문지

1989 .06

한국의 4M DRAM 공동연구개발 사례연구 하(下)

주대영

반도체디스플레이기술학회지

2019 .01

ULSI DRAM을 이용한 새로운 구조의 캐패시터 ( The Noble Capacitor Structure for ULSI DRAM )

유상기 ,  전국진

대한전자공학회 학술대회

1992 .11