전하선택접촉 박막의 MoOx 패시베이션 특성 및 이종접합태양전지 적용 연구 :MoOx Passivation Characteristics of carrier selective contact with Heterojunction solar cell Application

정민지

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자료유형: 학위논문

저자정보: 정민지 (충남대학교, 忠南大學校大學院)

지도교수: 장효식

발행연도: 2019

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2020

ALD(Atomic Layer Deposition)를 이용한 전하선택접촉박막MoOx의 패시베이션 특성 및 HIT cell 적용

정민지 , 장효식 한국진공학회 학술발표회초록집 2020.08 학술대회자료

2019

MoO3 박막을 이용한 전하선택접촉과 패시베이션의 적용

정민지 , 장효식 한국태양에너지학회 학술대회논문집 2019.04 학술대회자료

전하선택접촉 박막의 MoOx 패시베이션 특성 및 이종접합태양전지 적용 연구

정민지 에너지과학기술학과 2019.01 학위논문

원자층 증착법으로 증착된 MoO<sub>x</sub>를 적용한 전하 선택 접합의 이종 접합 태양전지

정민지 , 조영준 , 이선화 외 4명 한국재료학회지 2019.01 학술저널

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Hole carrier selective MoOx film has been obtained by the atomic layer deposition(ALD) using molybdenum hexa-carbonyl(Mo(CO)6) as precursor and ozone(O3) oxidant. The growth rate was about 0.036 nm/cycle at 200 g/Nm2 of ozone concentration and the thickness of interfacial oxide was about 2 nm. The measured band gap and work function of MoOx film grown by ALD was 3.25 eV and 8 eV, respectively. X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) result shows that Mo6+ state was dominant in MoOx thin film. In case of ALD-MoOx grown on Si wafer, the ozone concentration did not affect the passivation performance in the as-deposited state. But, the implied open-circuit voltage increased from 576 ㎷ to 620 ㎷ at 250 g/Nm2 after post-deposition annealing at 350℃ in a forming gas ambient. Instead of p-type amorphous silicon layer, high work function MoOx films as a hole selective contact were applied for heterojunction silicon solar cell and the best efficiency of 21% was obtained.

제1장. 서론 1
제 2장. 이론적 배경 2
2-1. 태양전지 원리 및 구조 2
2-1-1. 태양전지 구조 2
2-1-2. 태양전지 원리 4
2-2. 결정질 실리콘 태양전지 6
2-2-1. 고효율 실리콘 태양전지 6
2-2-2. 전하선택접촉 태양전지 11
2-3. 원자층 증착법 15
2-3-1. 원자층 증착법 원리 및 특징 15
2-3-2. 원자층 증착법을 이용한 MoOx 박막 실험방법 18
제 3장. 고효율 실리콘 태양전지 적용을 위한 ALD-MoOx 박막 특성 연구 20
3-1. ALD를 이용한 MoOx 박막 증착 20
3-2. 반응물 변화에 따른 ALD-MoOx 박막 영향 25
3-3. 이종접합 태양전지의 ALD-MoOx 박막 적용 40
제 4장. 결론 44
참고문헌 45
영어요약문 47
감사의 글 49

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